新器件的占位面积较小，为 4.8 毫米×6.7 毫米， 
且具有高达 100V 及 12A 的高电流密度性能 

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky ,简称TMBS™)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理 100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 

凭借 1.1 毫米的高度以及 4.8 毫米×6.7 毫米的占位面积，这些采用 SMPC 封装的新型器件可在更小的占位面积中提供更多电能，其应用包括：次级整流器以及用于交流到直流与直流到直流转换器的续流电路；用于中小型电源适配器的输出整流；诸如计算机、LCD 显示器及手机等消费类电子设备中的开关模式电源；针对汽车及工业系统中螺线管驱动电路的飞轮与极性保护；用于电信及工业系统的 OR-ing 二极管。 

日前推出的采用 SMPC 封装的三款 TMBS 整流器具有 100V 的额定电压，以及 8A～12A 的高电流密度。16 款新型平面肖特基整流器具有 20V～100V 的额定电压，以及 3A～10A 的高电流密度。所有这些器件均具有超低的正向电压降，以及特殊的宽底板设计，散热性高于具有类似尺寸的其它封装。  



这些新型整流器的单片或双片表面贴装 SMPC (TO-277A) 封装具有与其他 SMD 器件兼容的焊盘，因此在将其用作现有器件的更高性能升级时，无需对 PCB 布局进行修改。