恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60 V和100 V新器件

　恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用POWER SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作电压。Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。

　　LFPAK是一种“真正”意义上的功率封装，通过优化设计实现最佳热/电性能、成本优势和可靠性。LFPAK是汽车行业标准AEC-Q101唯一认可的POWER-SO8封装形式，在极端恶劣的工作条件下仍具有出色的耐受性和可靠性。

　　产品主要特点：

　　·3.6 mΩ（典型值），60 V，POWER-SO8封装(PSMN5R5-60YS)
　　·10.0 mΩ（典型值），100 V，POWER-SO8封装(PSMN012-100YS)
　　·全球首款电阻小于1 mΩ，25V，POWER SO8封装MOSFET开关型应用器件
　　·POWER-SO8器件最高工作温度：175 °C
　　·符合汽车电子器件AEC - Q101标准的POWER-SO8封装
　　·LFPAK封装最大额定电流：ID(MAX)＝100A
　　·支持目视检测设备检测（很多其他POWER-SO8产品需要X光检测）
　　·突波耐受
　　·符合RoHS规定，无卤封装

　　除新型POWER SO-8封装产品，恩智浦还推出了符合TO220 (SOT78)业界标准的60V和100V器件，在原有30V、40V和80V产品基础进一步扩大了Trench 6 MOSFET产品线。新产品系列在各种应用场景下都表现出优异的性能。Trench 6硅技术结合TO220封装在提高工作效率，降低开关损耗，改善电流容量，增加功率密度等方面起到显著的提升作用，这些对于目前的高性能电源管理应用具有重要意义。

　　产品主要特点：
　　·2.4 mΩ（典型值），60 V，TO220封装 (PSMN3R0-60PS)
　　·4.3 mΩ（典型值），100 V，TO220封装(PSMN5R6-100PS)
　　·最高额定工作温度：175 °C
　　·最大额定电流：ID(MAX) = 100 A
　　·突波耐受
　　·符合RoHS规定，无卤封装
　　·低热阻

　　上市时间

　　新型TRENCH 6 MOSFET器件即将上市。

　　更多详细信息，请访问：<http://www.nxp.com/infocus/topics/POWERmos_t6/index.html?683>