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Intel/IBM晶体管制造40年来最大突破之一
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高性能低成本有机场效应晶体管制备取得重要进展
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使晶体中分子极向有序排列的方法
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新技术揭密载流子在半导体晶体中的运动
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恩智浦低VCEsat晶体管功耗比同类减少80%
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晶体管制造材料实现突破
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AMD计划2008年推45纳米处理器 代号为上海--晶体管...
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微电子技术获40年来重大突破--半导体 晶体管 处理...
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“节电王”登场:与耗能产品打一场持久战--电源 ...
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安森美“节电王”让能耗管理渐入佳境--二极管 晶...
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Littelfuse发布大浪涌电流保护闸流晶体管
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恩智浦新型BISS晶体管减少功耗损耗
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瑞萨发布硅锗功率晶体管
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瑞萨发布高性能硅锗功率晶体管RQG2003
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瑞萨发布硅晶体管应用于功率放大器
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ST推出新的带EEPROM和嵌入式晶体的实时时钟芯片
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晶体供货期延长
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晶体振荡器市场回暖
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IBM量产新一代芯片 40年来首次对晶体管做重大改进
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小信号晶体管价格上涨
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SDK研究LED晶体 PPD工艺有望突破亮度极限
[2007-3-20 9:15:11]
英飞凌成功测试第一个运用65纳米多栅晶体管结构制...
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英飞凌多栅晶体管技术取得突破
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德国科学家研制出新型磁性光子晶体
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